SMBJ24E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14 A; 最大反向漏电流: ...
P4SMA43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流: 1 ...
5KP90CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 31 A; 最大反向漏电流: 10...
1N6281AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流:...
1N6118AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电...
SMDA12CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:24 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
LC8.0A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 10 ...
5KP64CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: 1...
P4KE43A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流...
P6SMB47CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
ICT-5, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300 ...
15KPA75AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 33V 15000W,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 276....
P6SMB510AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 434V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
SMA5J6.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流: 10...
SMCJ11CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 u...
FESD05P30ZL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 0.25W,品牌:Fairchild,封装:SOD-882,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 0.25 W; 最大峰值脉冲电流: 5(Typ) A; ...
P4KE350A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.83 A; 最大反向漏电...
SMBJ120E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.8 A; 最大反向漏电...
SMAJ90CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
B72590D 150A 60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:46 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工...
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