P4SMA8.2A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.1 A; 最大反向漏电流: ...
								SZP6SMB33CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28.2V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
								SMBJ400AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
								TPD4S010DQAR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±9@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 电...
								1N6375-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 u...
								P6SMB36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 1 u...
								SMC3K33CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 33V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 56.3 A; ...
								SMAJ6.5CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 35.7 A; 最大反向漏电流: 1...
								SMCJ60A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 60V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...
								PESD1LVDS,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:XSON-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V; 最大漏电流:1 u...
								SMCJ5660AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大...
								SMBJ110AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏...
								RSB6.8STE61,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:7.82 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:30 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surfac...
								SAC22-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 14 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
								NUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V; 最...
								5KP30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 93 A; 最大反向漏电流: 1...
								1.5KE250CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 213V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
								LC04-12.TBT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 12V 600W,品牌:Semtech,封装:SOIC-16,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 2 u...
								SMC3K36CAHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 36V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.6 A; ...
								TVS430, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 300V 150W,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 0.28 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 520 V; 最大反向关态电压: ...
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