SMAJ6.0A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 170 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大...
SAC6.0-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 41 A; 最大反向漏电流: 300 uA...
SMBJ30CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向漏电流: ...
ESDA14V2-4BF3,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:Flip-Chip-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Dis...
1N6103A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流: 5...
SMBG33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMAJ85E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流:...
P4SMA6.8AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.1 A; 最大反向漏电流: 1...
SMLJ33, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 50.4 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ5660, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8 A; 最大反向漏电流...
SMCJ22A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 42.2 A; 最大反向...
CD214B-T7.0CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 50 A; 最大反向漏电流: 400 ...
CG0603MLC-24LEA,ESD静电抑制器,品牌:Bourns,封装:0603,参数:类型:Multilayer Varistor; 配置:Single; 引脚数量:2; 最大钳位电压:25(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±25@Air Gap|±8@Contact Disc kV; 最大...
SMLJ150A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 12.4 A; 最大反向...
SMLJ16CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 115.4 A; 最大反向漏电...
BZW04-40B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40.2V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流...
5KP20E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ43E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏...
HSP051-4M10,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:14.8(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:1...
SMLJ64A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 29.2 A; 最大反向漏电...
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