SMLJ51AE3
SMLJ51AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.4 A; 最大反向漏电...
SZNUP1301ML3T1G
SZNUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V;...
1N6106US
1N6106US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流:...
SMDA03C-8
SMDA03C-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
P4KE7.5AHE3
P4KE7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 35.4 A; 最大反向漏电...
SMBJ100AE3
SMBJ100AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏...
SMCJ6070E3
SMCJ6070E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 155V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏...
P6KA22HE3
P6KA22HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 18.8 A; 最大反向漏电流: 1...
3KASMC43AHE3_A/I
3KASMC43AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 3000W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 43.2 A; 最大反向漏...
SMA6F12AVCL
SMA6F12AVCL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:ST,封装:SMA flat,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 157 A; 最大反向漏电流: 0.2...
SMAJ20AE3
SMAJ20AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电...
D1213A-02SM-7
D1213A-02SM-7,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:SOT-25-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact...
SMBJ3V3-E3
SMBJ3V3-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Vishay,封装:SMBJ,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 200 A; 最大反向漏电流: 200 uA; ...
SMCJ11A-M3
SMCJ11A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMAJ7.0E3
SMAJ7.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.8 A; 最大反向漏电流...
P6KE120A-T
P6KE120A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 102V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.6 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SM8S40-HE3
SM8S40-HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 92.4 A; 最大反向漏电...
1N6103US
1N6103US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.7V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流:...
5KASMC16AHM3
5KASMC16AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 16V 5KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 192.3 ...
1N6108A
1N6108A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 29.6 A; 最大反向漏电流: 2...