HSP061-4M10Y,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-10,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:15@Air ...
1.5SMC43AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SMCJ7.5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大反向...
1.5KE110A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流:...
TMPG06-18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.9 A; ...
1.5KE82A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大反向漏电...
IP4234CZ6,115,ESD静电抑制器,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:引脚数量:6; ESD保护电压:15@Contact Disc kV; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:40(Typ) pF; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时...
5KP11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 274 A; 最大反向漏电流: ...
1.5SMC27AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
1.5SMC440AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 376V 1500W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流...
SMAJ28A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 5 u...
SMAJ8.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流...
CD214B-T22ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 22V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5...
1.5KE110CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ20E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16.7 A; 最大反向漏电流...
TPSMB7.5HE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.05V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 51.3 A; 最大反向漏电流: ...
SMDA24CDR2G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOIC-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:55 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc kV; 最大...
SMCJ13CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 13V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 368 A; 最大反向漏电流: 0.2...
SMBJ180AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: S...
1N6152AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40.1 A; 最大反向漏...
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