IMX25T110
IMX25T110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:820@4mA@2V; 最大工作频率:35(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@3mA@30mA V; ...
PMST4401,115
PMST4401,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V|100@150mA@1V|40@500mA@2V...
SBC807-40LT1G
SBC807-40LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
2SC5359-O(Q)
2SC5359-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
BC307
BC307,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.6V,fr=130+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX718
ZTX718,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|150@2A@2V|35@4A@2V|15@6A@2V; 最大工作频...
PN2222ARLRAG
PN2222ARLRAG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA...
2SC3324-BL(TE85L,F)
2SC3324-BL(TE85L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:350@2mA@6V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
SD1407
SD1407,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-4 M-174,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:36 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:10@5A@5V; 最大工作频率:30 MHz; 最大集电极基极电压:65 V; 工作温...
2SC5566-TD-E
2SC5566-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:400(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.13@50mA@1A|...
2DC4617S-7-F
2DC4617S-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:270@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5...
FJX733YTF
FJX733YTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1...
MJD117
MJD117,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1750mW,Ic=2000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=3V,fr=25MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MUN5331DW1T1G
MUN5331DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DDTB143TC-7-F
DDTB143TC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
KSP13TA
KSP13TA,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1m...
NZT7053
NZT7053,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极...
SNSS40600CF8T1G
SNSS40600CF8T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:Chip FET-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:250@10mA@2V|250@500mA@2V|220@1A@2V|180@2A@2V|150@3A@2V...
MMBT2222A-7-F
MMBT2222A-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|40...
BFP410H6327XTSA1
BFP410H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:60@13mA@2V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压...