DDTC114WE-7-F
DDTC114WE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:24@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
KSD1691YSTU
KSD1691YSTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:160@2A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:60 V...
UMZ2NTR
UMZ2NTR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ)@NPN|140(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发射极...
FJB102TM
FJB102TM,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@3A@4V|200@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@6mA@3A|2.5@80...
MJF47G
MJF47G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220-3 Full-Pak,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电...
BF620
BF620,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=50mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA043TMT2L
DTA043TMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
PEMB9,115
PEMB9,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
MJD112T4G
MJD112T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
SSTA28T116
SSTA28T116,三极管,达林顿管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@10uA@10...
NSBC115TDP6T5G
NSBC115TDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
50C02CH-TL-E
50C02CH-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@10mA@100m...
2SA1242
2SA1242,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838...
2SC2688
2SC2688,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=200mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE68033-T1B-R44-A
NE68033-T1B-R44-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@6V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大...
MSB1218A-RT1G
MSB1218A-RT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:210@2mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:45 ...
2SA854S
2SA854S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC2328A
KSC2328A,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMMBT3904WT1G
SMMBT3904WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V;...
FZT549TA
FZT549TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|30@2A@2V; 最大工作频率:100(Min)...