BFG520/X,215
BFG520/X,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:60@20mA@6V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温...
PDTC114EE,115
PDTC114EE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...
2SD2662T100
2SD2662T100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:330(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@50mA@1...
PN100A
PN100A,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:240@100uA@1V|300@10mA@1V|100@100mA@1V|100@150mA@5V; 最大工作频...
KST14MTF
KST14MTF,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0...
KTC3192
KTC3192,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=50mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZXTN2010A
ZXTN2010A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|55@5A@1V|20@10A@1V; 最大工作频率:130(Typ...
FMMT551TA
FMMT551TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:50@150mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
BF823,215
BF823,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@5mA@3...
2SA1242
2SA1242,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=35V,BVceo=20V,BVebo=8V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PBLS4001Y,115
PBLS4001Y,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|40@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V@NPN|40@500mA@2V@...
ZX5T953GTA
ZX5T953GTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|25@3A@1V|15@4A@1V; 最大工作频率:125(Typ...
BSP32,115
BSP32,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:10@100uA@5V|40@100mA@5V|30@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大...
DTD743EMT2L
DTD743EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:115@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
BC850CMTF
BC850CMTF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
MUN2133T1G
MUN2133T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
CPH5902G-TL-E
CPH5902G-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
BCR410W H6327
BCR410W H6327,有源偏置控制器,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:分类:Active Bias Controller; 引脚数目:4; 工作温度:-65 to 150 ℃; 所属系列:BCR 410W; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755...
RN4984,LF(CT)
RN4984,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
2STA2120
2STA2120,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V|35@7A@5V; 最大工作频率:25(Typ) MHz; 最大集电极发射...