MJD32CT4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A...
2SC3303,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=20+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83...
NST3904F3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1...
PEMH4,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
TIPP32B-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:20@1A@4V|10@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1@375mA@2A V; 最大集电极基极电压:80 ...
2SC1213,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=500mA,BVcbo=35V,BVceo=35V,BVebo=4V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1371,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUJ403A,127,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:550 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:13@1mA@5V|20@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@2A V; 最大集电极基极...
ZXTPS717MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:4.4 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@100mA@2V|180@2.5A@2V|60@8A@2V|45@10A@...
PUMB30,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
2SC5086-Y(TE85L),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:SSM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:120@20mA@10V; 最大工作频率:7000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V...
MPSA92_D81Z,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) ...
PN2907ABU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50...
ZDT795ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SM8-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@200mA@2V|100@300mA@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz...
DTA115TM,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-723封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=100K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2412,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=7V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.4V,fr=160+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX603STZ,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:2000@50mA@5V|5000@500mA@5V|2000@1A@5V|500@2A@5V; 最大集...
CZT5401,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=600mA,BVcbo=160V,BVceo=150V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP120G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20mA@5...
START499TR,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:160(Typ)@160mA@4V; 最大工作频率:42000 MHz; 最大集电...
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