DMB54D0UV-7
DMB54D0UV-7,N沟道增强型MOSFETPNP晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:分类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:DMB54D0UV; 安装...
MJD112RLG
MJD112RLG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@8mA@2A|3...
UMC5NTR
UMC5NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V@NPN|30@10mA@5V@PNP; 工作温度:-55 to 150 ℃;...
BC847AMB,315
BC847AMB,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10m...
2SC2236
2SC2236,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IMT1AT110
IMT1AT110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA V...
BC557BRL1G
BC557BRL1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:180@2mA@5V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA...
BSP33,115
BSP33,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@5V|100@100mA@5V|50@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...
MMBTH10LT1G
MMBTH10LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:60@4mA@10V; 最大工作频率:650(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:30 V...
MUN5115T1G
MUN5115T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BCV63,215
BCV63,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143B-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30@TR 1|6@TR 2 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V@TR 1|110@2mA@700mV@TR 2; 最大工作频率:10...
QSX1TR
QSX1TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:270@500mA@2V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@60mA@3A V; 最大集...
PMMT591A,215
PMMT591A,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V; 最大工作频率:1...
PDTA124ET,215
PDTA124ET,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
NSVBC856BM3T5G
NSVBC856BM3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA...
RN4906,LF
RN4906,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50...
MJE350
MJE350,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA V; 最大...
PDTA144WM,315
PDTA144WM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
NSVMUN5214DW1T3G
NSVMUN5214DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DDTD123EC-7-F
DDTD123EC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:39@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...