2N2219AJANTX
2N2219AJANTX,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|...
BC817-16LT3G
BC817-16LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和...
MMBTA44
MMBTA44,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=6V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD41C
MJD41C,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897...
PUMH1,115
PUMH1,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询...
MUN5135T1G
MUN5135T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
PBSS306NX,115
PBSS306NX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4.5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|150@1A@2V|100@2A@2V|50@4A@2V|40@5A@2V; 最大工...
2N5551RLRPG
2N5551RLRPG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极发射极饱...
STX13003G-AP
STX13003G-AP,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@0.5A|1@250m...
2N4400
2N4400,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=6V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=150,Vce(sat)=0.75V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1770S-AN
2SA1770S-AN,功率晶体管,品牌:ON,封装:NMP-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500...
ZTX749
ZTX749,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-226-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1...
ULN2003AIPWRG4
ULN2003AIPWRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface ...
A1015
A1015,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1130MFV,L3F
RN1130MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
MMST6427-7-F
MMST6427-7-F,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:40 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:10000@10mA@5V|20000@100mA@5V|14000@500mA@5V; 最...
BD13816STU
BD13816STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基极...
2SB1182
2SB1182,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=2000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.8V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC143TETL
DTC143TETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
UMC2NT1G
UMC2NT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-5,参数:配置:Dual Common Base and Collector; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...