BC859BW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
2DB1188P-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:82@0.5A@3V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.8@0.2A@2...
TIP115,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@...
SNSS35200MR6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:35 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@2V|100@500mA@2V|100@2A@3V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大...
EMD4T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83...
ZTX450STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@10V|15@1A@10V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
BC857CW,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@10...
PMBTA45,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:50@30mA@10V|50@50mA@10V; 最大工作频率:35(Typ) MHz; 最大集电极发射极...
BCX5616E6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:100(Typ) M...
NSVMUN5215DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BUJ302AD,118,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:48@0.1A@5V|25@0.8A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1.5@1A@3.5A...
BCR119SH6327XTSA1,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:120@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
DTC114YSA,NPN数字晶体管,由ROHM原厂生产,TO-92S封装,参数为:Pd=300mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2STW200,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:25 A; 最小DC直流电流增益:600@5A@3V|500@10A@3V|300@20A@3V; 最大集电极发射极...
2SC2551,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=300V,BVceo=300V,BVebo=6V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=150,Vce(sat)=0.5V,fr=80+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
3DA882,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PMSTA06,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@2V|50@100mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
MPS651,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.5V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX70JT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:250@2mA@5V|90@50mA@5V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3...
MJD243G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|15@1A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA@5...
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