NSVMMUN2212LT1G
NSVMMUN2212LT1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
HFA3135IHZ96
HFA3135IHZ96,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOT-23-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:11 V; 最大DC直流集电极电流:0.026 A; 最小DC直流电流增益:15@10mA@2V|151mA@2V|150.1mA@2V|1510mA@5V|151mA@5V...
MPSA42RLRPG
MPSA42RLRPG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大...
MJD122-1
MJD122-1,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-251-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@8A@4V|1000@4A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16m...
MMBT3904LP-7
MMBT3904LP-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V...
PBSM5240PF,115
PBSM5240PF,115,PNP晶体管带有N沟道沟槽MOSFET,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:PBSM5240PF; 安装方式:Surf...
BC846BS,115
BC846BS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10...
BC141-10
BC141-10,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-39-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@100mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.1A@1A V; 最大集电极基极电压...
FMMT617TA
FMMT617TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:625 mW; 安装方式:Surface Mount....
2SA1930(Q,M)
2SA1930(Q,M),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-220-3NIS,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:180 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:100@0.1A@5V|50@1A@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射...
MPSA13G
MPSA13G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:5000@10mA@5V|10000@100mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.1mA@100mA...
SOC2907AHRB
SOC2907AHRB,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:LCC-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@0.1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|100@1...
BFU520XRVL
BFU520XRVL,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-143R-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@8V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 最大功率耗散:450 mW; 安装方式:Surfa...
ST83003
ST83003,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|16@0.35A@5V|4@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:...
DTA114TUBTL
DTA114TUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT3F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
ULQ2001A
ULQ2001A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@1...
MMST3904
MMST3904,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1383
2SC1383,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=340,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FZT758TA
FZT758TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:50@1mA@5V|50@100mA@5V|40@200mA@10V; 最大工作频率:50(Min) MHz;...
BFP405E6433
BFP405E6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.025 A; 最小DC直流电流增益:60@5mA@4V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:15 V...