TIP50
TIP50,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极...
TIPP32A-S
TIPP32A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:20@1A@4V|10@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1@375mA@2A V; 最大集电极基极电压:60 ...
MJE15031G
MJE15031G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:40@100mA@2V|40@2A@2V|40@3A@2V|20@4A@2V; 最大工作频率:30(Min) MHz;...
STC03DE170
STC03DE170,混合型发射极开关双极晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-4,参数:分类:Hybrid Emitter Switched Bipolar Transistor; 引脚数目:4; 工作温度:-65 to 125 ℃; 所属系列:STC03DE170; 安装方式:Th...
2SD1683S
2SD1683S,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-126ML-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@100mA@2A ...
STLD128DN
STLD128DN,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1A|1@...
DTB743ZMT2L
DTB743ZMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:200 mA; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-8389...
MMBT589LT1G
MMBT589LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V; 最大工作频率:100(Min) M...
2SD1757KT146Q
2SD1757KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@...
15C02MH-TL-E
15C02MH-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@50mA@2V; 最大工作频率:440(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.28@20mA@400m...
MJD2955T4G
MJD2955T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.4A@4A...
MUN2137T1G
MUN2137T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
2SB1132
2SB1132,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
2SD2470
2SD2470,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=5000mA,BVcbo=15V,BVceo=10V,BVebo=8V,hfe(Min)=270,hfe(Max)=820,Vce(sat)=0.5V,fr=170+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJ11015G
MJ11015G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:120 V; 峰值DC直流集电极电流:30 A; 最小DC直流电流增益:200@30A@5V|1000@20A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:3@200mA@20A|4@300m...
APT13005TF-G1
APT13005TF-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-220F-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:700(Min) V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@1A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@1A|0.6@...
DS2003TM
DS2003TM,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V; ...
MSB1218A-RT1G
MSB1218A-RT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:210@2mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:45 ...
PBSS303NX,115
PBSS303NX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:5.1 A; 最小DC直流电流增益:300@0.5A@2V|300@1A@2V|250@2A@2V|200@4A@2V|180@6A@2V; 最大...
DTA143TUAT106
DTA143TUAT106,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存...