2SD1767
2SD1767,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1036KT146Q
2SA1036KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@30mA@...
PMST2222,115
PMST2222,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|50@150mA@1V|100@150mA...
BCX70H,235
BCX70H,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|180@2mA@5V|70@50mA@1V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最...
MPSA13
MPSA13,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=10V,hfe(Min)=10000,Vce(sat)=1.5V,fr=125MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DRC5114Y0L
DRC5114Y0L,数字晶体管,品牌:Panasonic,封装:SMini3-F2-B-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
BC859CE6327HTSA1
BC859CE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0...
PBHV8540T,215
PBHV8540T,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|80@100mA@10V|10@300mA@10V; 最大工作频率:30(Ty...
BCP54-10,135
BCP54-10,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@150mA@2V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
BDX54BG
BDX54BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A V; 最大集电极基极电压:80 V; 安装方...
MMUN2213LT3G
MMUN2213LT3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
STP03D200
STP03D200,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:1200 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:230@20mA@10V|200@30mA@10V; 最大集电极发射极饱...
FMMT549
FMMT549,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:70@50mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V|100@500mA@2V; 最大工作频率:100(Min) M...
2SA1943RTU
2SA1943RTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-264-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:55@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
MJD44H11T4-A
MJD44H11T4-A,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; ...
2SD1801T-TL-E
2SD1801T-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@1A...
ST93003
ST93003,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|16@0.35A@5V|4@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:...
MUN5240T1G
MUN5240T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
MMBT3904-13-F
MMBT3904-13-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100m...
2SC2411KT146Q
2SC2411KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@50mA@...