ZXTP25040DFHTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|200@1A@2V|30@3A@2V; 最大工作频率:270(Typ) MHz; ...
FZT795ATA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|250@200mA@2V|100@300mA@2V; 最大工作频率:100(Min)...
PZT3906,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR116WE6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
BDV65BG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@0.02A@5A V; 最大集电极基极电压:100 V; ...
2SA966,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1500mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1300,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=20V,BVceo=10V,BVebo=6V,hfe(Min)=140,hfe(Max)=600,Vce(sat)=0.82V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC848W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
2SC2458,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZT2907A-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:75@100uA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|5...
PUMD12,135,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BFP410H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.04 A; 最小DC直流电流增益:60@13mA@2V; 最大工作频率:25000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压...
DTC143EUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=20,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=4.7K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BSP31,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@100uA@5V|100@100mA@5V|50@500mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最...
QST2TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:270@500mA@2V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@60mA@3A V; 最大...
ULN2001A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@1...
MJ15016G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-204-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:10@4A@2V|20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:18 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@4...
PDTB123TT,215,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:100@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
BD437,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.6V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BUL312FP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:8@10mA@5V|8@3A@2.5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1...
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