SMUN5213DW1T1G
SMUN5213DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库...
BULD118D-1
BULD118D-1,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:IPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|10@0.5A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0....
MCH3145-TL-E
MCH3145-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:MCPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.33@50mA@1A ...
2SB649A
2SB649A,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC123YKA
DTC123YKA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=33,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ECLAMP2455K.TCT
ECLAMP2455K.TCT,ESD/EMI保护对于SIM卡,品牌:Semtech,封装:8-Pin,参数:分类:ESD/EMI Protection For Sim Card; 引脚数目:8; 工作温度:-40 to 85 ℃; 所属系列:EClamp2455K; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购...
FZT951TC
FZT951TC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@2A@1V|75@5A@1V|10@10A@1V; 最大工作频率:120(Typ) ...
RN47A4
RN47A4,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:USV-5,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
FJE3303H1TU
FJE3303H1TU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V; 最大工作频率:4(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1...
2N5179
2N5179,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-72-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:25@3mA@1V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@1mA@10...
PBSS5320T,215
PBSS5320T,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:220@100mA@2V|220@500mA@2V|200@1A@2V|150@2A@2V|100@3A@2V...
2N5550TA
2N5550TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:60@1mA@5V|60@10mA@5V|20@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极...
TTC008(Q)
TTC008(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:285 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|100@0.3A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1@62.5mA@0.5A V; ...
SN75468N
SN75468N,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
BC847BLP4-7
BC847BLP4-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@...
ULN2003ANSRG4
ULN2003ANSRG4,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mou...
MMST5551
MMST5551,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=600mA,BVcbo=180V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.2V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC848W,135
BC848W,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
BGB420E6327
BGB420E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:3.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 工作温度:-40 to 85 ℃; 最大功率耗散:120 mW; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
PMBT3904M,315
PMBT3904M,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V; ...