2SC536N,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=160,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.3V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RN1407(T5L,M),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
D45H11,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V; 最大集...
SD1726,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-4 M-174,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:55 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:18@1.4A@6V; 最大集电极基极电压:110 V; 工作温度:-65 to 200...
MJD340RLG,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:300 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:1@10mA@100mA V; 最大集电极基极电压:300 V; 工作...
BD437,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:85@500mA@1V|30@10mA@5V|40@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz...
BFR460L3E6327XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSLP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:4.5 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:90@20mA@3V; 最大工作频率:22000(Typ) MHz; 工作温度:-65 t...
SMUN5112T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
BD676AG,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:45 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:750@2A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A V; 最大集电极...
BUL1203E,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:550 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:10@1mA@5V|10@10mA@5V|14@0.8A@3V|9@2A@5V; 最大集电极...
DDTA123YUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:07...
DCX143TH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SA1313-Y,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:25@400mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极基极...
8550S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTD2061,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=2000mA,BVcbo=200V,BVceo=180V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX53-16,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
MMBTA56LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
TIP42C-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V; 最大集电极基极电压...
EMX1DXV6T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50m...
BFU768F,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:2.8 V; 最大DC直流集电极电流:0.07 A; 最小DC直流电流增益:155@10mA@2V; 最大集电极基极电压:10 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:220...
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