MJE344G
MJE344G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V; 最大工作频率:15(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@5mA@50mA V; 最...
ZXT12P12DXTA
ZXT12P12DXTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:MSOP-8,参数:类型:PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@10mA@2V|300@1A@2V|200@3A@2V|20@12A@2V; 最大工作频率:85(Typ)...
TIP127
TIP127,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:1000@0.5A@3V|1000@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|4@20...
BCR583E6327
BCR583E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
PBHV9115Z,115
PBHV9115Z,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|100@100mA@10V|10@1A@1V; 最大工作频率:115(Typ) MH...
PBSS306PZ,135
PBSS306PZ,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4.1 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|150@1A@2V|100@2A@2V|25@4A@2V; 最大工作频率:100(...
2SC4409(TE12L,F)
2SC4409(TE12L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@2V|40@1.5A@2V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集...
STN83003
STN83003,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@10mA@5V|16@0.35A@5V|4@1A@5V; 最大集电极发射极饱和电...
2SC2715
2SC2715,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=50mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC856B-7-F
BC856B-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
SBCP53-10T1G
SBCP53-10T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|63@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大工作频率:50(Typ) MHz; 最...
SMUN5211T3G
SMUN5211T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
PHD13003C,412
PHD13003C,412,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:8@0.5A@2V|5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25A@1A|...
TPCP8J01(TE85L,F,M)
TPCP8J01(TE85L,F,M),硅P沟道MOS型和硅NPN外延型,品牌:Toshiba,封装:PS-8,参数:分类:Silicon P Channel Mos Type and Silicon NPN Epitaxial Type; 引脚数目:8; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:TPCP8J0...
CZT127
CZT127,贴片达林顿晶体管,由CJ原厂生产,SOT-223封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=4V,fr=4MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCR148 E6327
BCR148 E6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:70@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
2SB1694
2SB1694,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=270,hfe(Max)=680,Vce(sat)=0.38V,fr=320MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FJAF4210YTU
FJAF4210YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PF-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:140 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:90@3A@4V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.5A...
BST39,115
BST39,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:350 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@20mA@10V; 最大工作频率:70(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@50mA...
NE68119-T1-A
NE68119-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Ultra Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:80@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to ...