TIP41-S
TIP41-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@0.6A@6A V; 最大集电极基极电压:8...
BC850C,235
BC850C,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA...
ZXTN5551FLTA
ZXTN5551FLTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:130(Typ) MHz...
PBSS5360ZX
PBSS5360ZX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:150@50mA@5V|130@500mA@5V|120@1A@5V|100@2A@5V|80@3A@5V; 最大集电...
2N2945A
2N2945A,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-46-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:70@1mA@0.5V; 最大集电极基极电压:25 V; 工作温度:-65 to 200 ℃; 最大功率耗散:4...
NZT605
NZT605,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:110 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@2A@5V|300@1.5A@5V|2000@1A@5V|5000@500mA@5V|2...
PHPT60406PYX
PHPT60406PYX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-669-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:210@500mA@2V|190@1A@2V|110@3A@2V|50@6A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0...
2SA2069(TE12L,F)
2SA2069(TE12L,F),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:PW-Mini-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@0.15A@2V|125@0.5A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.14@17m...
2SCR513PT100
2SCR513PT100,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:180@50mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@25mA@500...
ULQ2003ATPWRQ1
ULQ2003ATPWRQ1,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:TSSOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.25mA@0.1A|1.3@0.35mA@0.2A|1.6@0.5mA@0.35...
SG2003J/883B
SG2003J/883B,三极管,达林顿管,品牌:Microsemi,封装:CDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|...
NSBC143EPDP6T5G
NSBC143EPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...
RN1905,LF(CT)
RN1905,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BC550CTA
BC550CTA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5m...
C1815
C1815,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=130,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFP193WH6327XTSA1
BFP193WH6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-343-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.08 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:...
PBSS4032PX,115
PBSS4032PX,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:4.2 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V|200@1A@2V|150@2A@2V|60@4A@2V; 最大工作频率:115(...
NSBC123TPDP6T5G
NSBC123TPDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BD034
BD034,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=2500mA,BVcbo=110V,BVceo=95V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSA44
MPSA44,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=300mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=6V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562