3DG8051
3DG8051,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD31T4G
MJD31T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:25@1A@4V|10@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.2@375mA@3A V...
BFQ591,115
BFQ591,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:60@70mA@8V; 最大工作频率:7000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65...
BCR133S H6327
BCR133S H6327,数字晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
FZT1051ATC
FZT1051ATC,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:290@10mA@2V|270@1A@2V|130@5A@2V|40@10A@2V; 最大工作频率:155(Ty...
HFA3046BZ
HFA3046BZ,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@2V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...
PBSS5140U,135
PBSS5140U,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V; 最大工作频率:150...
BC856BE6327
BC856BE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0....
KSB1151YSTSTU
KSB1151YSTSTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:160@2A@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@2A V; 最大集电极基极电压:60...
KSB811
KSB811,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=1000mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=110+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SHN1B01FDW1T1G
SHN1B01FDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@10mA@100mA@NPN|0.25@10m...
2SA1586-GR(T5LHITF)
2SA1586-GR(T5LHITF),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0....
RN2405,LF
RN2405,LF,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BCW66KGE6327HTSA1
BCW66KGE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:110@10mA@1V|160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:1...
2SC4132T100Q
2SC4132T100Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:MPT-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:120@0.1A@5V; 最大工作频率:80(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@0.1A@1A V...
MJE702G
MJE702G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA...
2SC5347AE-TD-E
2SC5347AE-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:90@50mA@5V; 最大工作频率:4.7(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55...
MJD44E3T4G
MJD44E3T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:1000@5A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@10mA@5A|2@20mA@10A V; 安装方式:...
RN1102MFV,L3F
RN1102MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
CPH3114-TL-E
CPH3114-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:350(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@15mA@75...