SMBJ54AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.9 A; 最大反向漏电流...
P6KE7.5CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A; 最大反向漏电流: 1...
MAX3202EEBS+,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:UCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
TPC10HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 100 A; 最大反向漏电流: 20...
SMCJ130CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏...
TVS305SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 5V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 17 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 8.7 V; 最大反向关态电压: 5...
SMCJ120CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 120V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电...
1N5908G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-02,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8 A; 最大反向漏电流: 300 ...
P4SMA100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1...
BZW04-33HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 7.4 A; 最大反向漏电...
P4KE170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.7 A; 最大反向漏电流...
DALC112S1RL,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:8@Air Gap/6@Contact Disc kV; 最大工...
SMCG6.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133.9 A; 最大反向漏电流...
SMCJ5.0A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 163 A; 最大反向漏电流...
HSP061-2M6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Co...
SMCG58A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMB10J6.5A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 89.3 A; 最大反向漏电流: ...
NUP1301,215,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM ...
SMCJ5646, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 29.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 29 A; 最大反向漏...
TPC39AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流:...
产品展示
Product show