1.5KE160AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流...
BZW04-14HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.8 A; 最大反向漏...
SMAJ16A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMBJ90A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMAJ12CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 20.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N5657A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: ...
SZQA6V8XV5T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-523-5,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Quad; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:12.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:16@Air Gap|9@Contac...
SMLJ43CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 43V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 43.2 A; 最大反向漏电流...
SMAJ85CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
SMAJ8.0CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 29.4 A; 最大反向漏电流: 100...
B72735D 50H 62,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:SOT-23-6,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:195 V; 每芯片单元数目:5; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc KV; 最...
SM6T27AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 83 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
CD143A-SR70,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:7 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Cont...
SMBJ100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P4SMA6.8CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5.8V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 38.1 A; 最大反向漏电流: 20...
SZ1SMB36AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMBF5.0A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 600W,品牌:ST,封装:SMB flat,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 800 ...
P4SMA350AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 300V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
LC45A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 10...
SMBJ33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.3 A; 最大反向漏电...
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