SA8.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.7 A; 最大反向漏电流: 20 ...
DS9503P+,稳压型ES抑制器,品牌:Maxim,封装:TSOC-6,参数:类型:Zener; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:27(Min) kV; 最大漏电流:0.1 uA; 最低工作温度:-40 ℃; 最大工作温度:85 ℃; 安装方式:Sur...
P4KE160A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 136V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流...
CD214C-T15CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61.5 A; 最大反向...
PTVS30VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电...
SMAJ51E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向漏电流:...
704-15K36, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 31.5V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 8,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 300 A; 最大反向...
1.5KA43AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电...
BZW06-5V8RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 298 A; 最大反向漏电流: 1000 ...
SMAJ24CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1N5610, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流:...
P4KA18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.9 A; 最大反向漏电...
P6KE62CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1N6468US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 35 A; 最大反向漏电流...
SMP16A-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 16V 400W,品牌:Vishay,封装:2SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
P6KE7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE33E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26.8V 600W,品牌:Microsemi,封装:2Case T-18,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12.6 A; 最大反...
TPI8011N, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Triple Bi-Dir 70V,品牌:ST,封装:SO-8,参数:配置: Triple; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大反向关态电压: 70 V; 最小击穿电压: 80 V...
1N6071A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电流: 5 ...
TPD4E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
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