SMCJ100CA-13-F
SMCJ100CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流: ...
SMBG45A-E3
SMBG45A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 45V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
1.5KE82A
1.5KE82A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
1.5SMC18AT3G
1.5SMC18AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 5 ...
SESD0201X1UN-0020-09
SESD0201X1UN-0020-090,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TE,封装:DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.2 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:20@Air Gap/20@Contact Dis...
SMLJ11CAE3
SMLJ11CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 164.8 A; 最大反向漏电...
SMB8J7.0CA-E3
SMB8J7.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流: 400 ...
SMCJ22CAHE3
SMCJ22CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 42.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMA5J28A-E3
SMA5J28A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P4SMA75AHE3
P4SMA75AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 3.9 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1.5KE110A-B
1.5KE110A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流:...
JANTX1N6155A
JANTX1N6155A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 27.4V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30.1 A; 最大反向漏电...
SMBJ9.0CA
SMBJ9.0CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 20 uA...
BZW50-82B
BZW50-82B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 82V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 317 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
RSB5.6SMT2N
RSB5.6SMT2N,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:1 uA; 电容值:50(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface ...
TPD2E001DRYRG4
TPD2E001DRYRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±...
P6SMB250A-E3
P6SMB250A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 214V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.74 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5SMC100A-E3
1.5SMC100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电...
P6SMB200CA-E3
P6SMB200CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
VBUS054B-HSF-GS08
VBUS054B-HSF-GS08,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Vishay,封装:LLP-75-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact...