MAX3202EEWS+TG45
MAX3202EEWS+TG45,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:WLP-4,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Dual; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap|±8@C...
SMAJ495A
SMAJ495A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 495V 400W,品牌:Bourns,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大反向关态电...
SM6T12CAY
SM6T12CAY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10.2V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 184 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
BZW50-180RL
BZW50-180RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 180V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 146 A; 最大反向漏电流: 5...
SMCJ16CA-M3
SMCJ16CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向漏电流: 1 u...
P6SMB51AHE3
P6SMB51AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43.6V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
DF2B6.8FS(TPL4,D)
DF2B6.8FS(TPL4,D),ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Toshiba,封装:fSC-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0...
SMBJ18A-E3
SMBJ18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SMAJ48CAE3
SMAJ48CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流:...
P6KE22A-E3
P6KE22A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏电流: ...
ESD1P0RFW H6327
ESD1P0RFW H6327,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:20@Contact Disc kV; 最大...
SMCJ45CA
SMCJ45CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏...
SMAJ90CE3
SMAJ90CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 90V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ6038E3
SMCJ6038E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 109 A; 最大反向漏电流...
D1213A-01LP4-7B
D1213A-01LP4-7B,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Diodes,封装:X2-DFN-2,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Conta...
SMAJ26AE3
SMAJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.9 A; 最大反向漏电...
PESD3V3S2UQ,115
PESD3V3S2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
SMBJ70A
SMBJ70A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: ...
1N6377HE3
1N6377HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 60 A; 最大反向漏电流: 2 u...
P4SMA170A-E3
P4SMA170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.3 A; 最大反向漏电流: 1 ...