BZW04-33B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 400W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳...
MAX3205EAWL+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:WLP-9,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Hex; 引脚数量:9; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:6; ESD保护电压:±15@Air Gap|±8@Contact Disc|±15@HBM ...
1.5SMC160CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 136V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: ...
SMBJ160A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 160V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.3 A; 最大反向漏电流...
1.5SMC43CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.3 A; 最大反向漏电流:...
SM6S15HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 171 A; 最大反向漏电流:...
TPSMP9.1HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.37V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-220AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏...
PJQA6V8-R2-00001,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Panjit,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 配置:Array 5; 引脚数量:6; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:5; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:1 uA; 电容值:240 pF...
SMLJ64A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 29.2 A; 最大反向漏电...
P6SMB68CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58.1V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
CM1213A-04MR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:MSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
SMCJ6.0A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 145.6 A; 最大反向漏电流:...
CM1213A-01SO,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:10 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:8@Contact Disc kV; 最大工作电压:5.5 V;...
SMBJ100CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流...
SMDA03C-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 2...
MAX14541EAXK+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:SC-70-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:116 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc...
SMDA03C-8E3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反...
TPD4E001DPKT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:USON-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15...
SMAJ8.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.7 A; 最大反向漏...
SMBJ33CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
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