P6SMB18AHE3

P6SMB18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电流: 1...

1.5SMC100AHE3

1.5SMC100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电...

1.5KE36CA

1.5KE36CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 156 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

SMAJ28A-13-F

SMAJ28A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 5 u...

1N6105A

1N6105A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.9V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 37.3 A; 最大反向漏电流: 2...

P6SMB56AHE3

P6SMB56AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...

SMM4F6.5A-TR

SMM4F6.5A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 400W,品牌:ST,封装:DO-222AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 1...

1N5632A

1N5632A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流:...

1N6058

1N6058, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...

SMBJ10CA-13-F

SMBJ10CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.3 A; 最大反向漏电流: 10 ...

SMBJ58CA-13-F

SMBJ58CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 58V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA...

SA170AHE3

SA170AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流: 1 u...

RSB6.8CST2RA

RSB6.8CST2RA,稳压型ES抑制器,品牌:Rohm,封装:VMN-2,参数:类型:Zener; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:5.78 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:15(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:15...

SMBJ45CA-13-F

SMBJ45CA-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 8.3 A; 最大反向漏电流: 5 uA...

NUP4302MR6T1G

NUP4302MR6T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:TSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:16(Min)@HBM kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:30 uA; 电容值:...

1N6294E3

1N6294E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 73.7V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 1,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 11.4 A; 最大反向...

SMAJ8.5CE3

SMAJ8.5CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 31.4 A; 最大反向漏电...

BZW50-12B

BZW50-12B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 2143 A; 最大反向漏电流: 5 uA;...

SM6S18AHE3

SM6S18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 4.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 4600 W; 最大峰值脉冲电流: 158 A; 最大反向漏电流...

1.5SMC150CA-E3

1.5SMC150CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 128V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: ...