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P6KE300CA-B

P6KE300CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 256V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.45 A; 最大反向漏电流: 5 ...

SMCJ17CAE3

SMCJ17CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 53.3 A; 最大反向漏...

1N6279A-E3

1N6279A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: ...

SMCJ8V5CA

SMCJ8V5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 1.5KW,品牌:Fairchild,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.2 A; 最大反向...

USB6B1

USB6B1,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-8 N,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:8; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大漏电流:1...

SMBJ12AHE3

SMBJ12AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 30.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...

SMBJ6.0CA-TR

SMBJ6.0CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 290 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳...

SMBG9.0A-E3

SMBG9.0A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 39 A; 最大反向漏电流: 10 uA...

SMCG9.0CAHE3

SMCG9.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 97.4 A; 最大反向漏电流: 20...

D5V0F4U6S-7

D5V0F4U6S-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 0.2W,品牌:Diodes,封装:6SOT-363,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 0.2 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最...

SMCJ6063E3

SMCJ6063E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 81V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏...

ESD6100

ESD6100,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:WLCSP-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9.8(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15(Min)@Air Gap/±8(Min)@Contact...

1.5KE8V2A-T

1.5KE8V2A-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.02V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 124 A; 最大反向漏电...

SMCJ6071A

SMCJ6071A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.1 A; 最大反向漏电...

1N5637

1N5637, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 5...

BZG04-51TR3

BZG04-51TR3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 51V 300W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 3.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 86.5 V; 最大反向关态电压: 51 ...

SMCG15CA-E3

SMCG15CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61.5 A; 最大反向漏电流: 1 ...

1N6066A

1N6066A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 110V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.2 A; 最大反向漏电流: 5 ...

ICTE10CHE3

ICTE10CHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 90 A; 最大反向漏电流: 2 uA...

SMAJ10CA

SMAJ10CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 10V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 23.5 A; 最大反向漏电流: 10 ...