IRF9530N
IRF9530N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=200.0mOhms,Qg Typ=38.7nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C=79W,Id@TC 25C=-14A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- 品牌：IR
- 封装：TO-220AB
- 描述：P沟道功率MOS管
- Description：P-channel Power MOSFET
