MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562...
SMMBFJ177LT1G
SMMBFJ177LT1G,场效应晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:-25 V; 最大漏极栅极电压:25 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
J176_D26Z
J176_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF5806
IRF5806,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TSOP-6 (Micro 6)封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=20V,RDS(on) Max 4.5V=86.0mOhms,Qg Typ=8.3nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,Power Dissipation@TC 25C=2.0W,...
IRF7204
IRF7204,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=100.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
IRF5305S
IRF5305S,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=60.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-31A,...
IRF7410PBF-1
IRF7410PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=7.0mOhms,Qg Typ=91.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7416Q
IRF7416Q,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=35.0mOhms,Qg Typ=61.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0...
IRF9333
IRF9333,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=19.4mOhms,RDS(on) Max 4.5V=32.5mOhms,Qg Typ=14.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRFHM9391
IRFHM9391,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 3.3 x 3.3封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=14.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=22.5mOhms,Qg Typ=32.0nC,Rth(JC)=3.8K/W,Power Dis...
IRF7524D1
IRF7524D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=270.0mOhms,Qg Typ=5.4nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBFJ177
MMBFJ177,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF9540NS
IRF9540NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-2...
IRF6217PBF-1
IRF6217PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7410
IRF7410,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=7.0mOhms,Qg Typ=91.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
J176_D74Z
J176_D74Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF9335
IRF9335,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=59.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=110.0mOhms,Qg Typ=4.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRF9383M
IRF9383M,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=4.8mOhms,Qg Typ=130.0nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipa...
IRF9Z34NS
IRF9Z34NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=68W,Id@TC 25C=19A,...
IRF7425
IRF7425,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=8.2mOhms,Qg Typ=87.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562