IRF9321
IRF9321,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.2mOhms,RDS(on) Max 4.5V=11.2mOhms,Qg Typ=34.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:075...
IRLML6401TRPBF-1
IRLML6401TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-12V,VGs=8V,RDS(on) Max 4.5V=50.0mOhms,Qg Typ=10.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRF7406
IRF7406,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=70.0mOhms,Qg Typ=39.3nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:07...
IRFR6215
IRFR6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=13A,...
MMBFJ177
MMBFJ177,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897...
IRFR9024N
IRFR9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175.0mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C=11A,库...
IRFU9024N
IRFU9024N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=175mOhms,Qg Typ=12.7nC,Rth(JC)=3.3K/W,Power Dissipation@TC 25C=38W,Id@TC 25C=-8A,库存实...
J176_D26Z
J176_D26Z,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:-30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRF7342D2
IRF7342D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=26.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存...
IRF6215
IRF6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=290.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=-1...
IRF9388
IRF9388,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=25V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6218
IRF6218,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=150.0mOhms,Qg Typ=21.0nC,Rth(JC)=0.61K/W,Power Dissipation@TC 25C=250W,Id@TC 25C=-...
IRLML6402TRPBF-1
IRLML6402TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=65.0mOhms,Qg Typ=8.0nC,Rth(JC)=75 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389...
IRLR9343
IRLR9343,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=105.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=170.0mOhms,Qg Typ=31.0nC,Rth(JC)=1.9K/W,Power Dissipation...
PMBFJ174,215
PMBFJ174,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:135 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
IRFU5305
IRFU5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65mOhms,Qg Typ=42nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-18A,库存实时更新...
IRF9540NS
IRF9540NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-2...
IRFH9310
IRFH9310,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 A封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.6mOhms,RDS(on) Max 4.5V=7.1mOhms,Qg Typ=58.0nC,Rth(JC)=1.6K/W,Id@TC 25C=-40A...
PMBFJ175,215
PMBFJ175,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:P沟道; 最大漏源电压:30 V; 最大连续漏极电流:70 mA; 最大门源电压:30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
IRF5803D2
IRF5803D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存...