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IRF7524D1

IRF7524D1,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=270.0mOhms,Qg Typ=5.4nC,Rth(JC)=100 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

  • 品牌:IR
  • 封装:Micro 8
  • 描述:集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET with Schottky

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Vbrdss: -20V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
  • Qg(Typ): 5.4nC
  • Rth(JC): 100 (JA)K/W
  • 品牌:IR
  • 封装:Micro 8
  • 描述:集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
  • Description:P-channel Power MOSFET with Schottky

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