IRF5803D2
IRF5803D2,集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=112.0mOhms,RDS(on) Max 4.5V=190.0mOhms,Qg Typ=25.0nC,Rth(JC)=62.5 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
- Description：P-channel Power MOSFET with Schottky
- 品牌：IR
- 封装：SO-8
- 描述：集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
