注册账号 | 忘记密码
IRF9Z34N,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=100.0mOhms,Qg Typ=23.3nC,Rth(JC)=2.7K/W,Power Dissipation@TC 25C=56W,Id@TC 25C=-17A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC14584BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原...
74LVC1G02GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产...
SN74LV4051ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生...
ATTINY26L-8SU单片机,微控制器由ATMEL原厂生...
AT89C51ED2-SLSUM单片机,低功耗高性能的CMO...
SN74HC14DR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用...
AT93C56A-10SU27存储器,存储芯片,3线串行EE...
SN74LVC244APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂...
ATF91SAM7X256B-AU-001单片机,高性能,可...