IRFB4127
IRFB4127,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=20.0mOhms,Id=76A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG7PG42UD
IRG7PG42UD,IGBT模块(8-30kHz),由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1000V,Ic@100C=45A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7779L2
IRF7779L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGWT40H65DFB
STGWT40H65DFB,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-3P-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 ...
IRGC25B120KB
IRGC25B120KB,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=1200V,Vce(ON)@25C typ=2.28V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
FS75R17KE3
FS75R17KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:42-Pin ECONO 3,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:42; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:130 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755...
FGH40T65SPD_F155
FGH40T65SPD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 17...
IHW40N65R5
IHW40N65R5,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-40 to 175 ℃. 库存...
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0...
IRL1004
IRL1004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=130A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SK2145-Y(TE85L,F)
2SK2145-Y(TE85L,F),场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:SOT-25-5,参数:配置:Dual Common Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:10 V; 最大连续漏极电流:14 mA; 最大门源电压:-1.5 V; 最大漏极栅极电压:50 V; 工作温度:-55 to 125 ...
BF256B
BF256B,场效应晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大门源电压:-30 V; 最大漏极栅极电压:30 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
IRG7PSH54K10D
IRG7PSH54K10D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Super 247 (TO274AA)封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=65A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-274AA-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:99 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
BSM50GB170DN2
BSM50GB170DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:7-Pin 34MM,参数:配置:Dual; 通道类型:N; 引脚数目:7; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:72 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8...
IRFS3607
IRFS3607,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=80A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IHW40T120
IHW40T120,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:75 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-838975...
STGP10NB60S
STGP10NB60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:29 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
IRF9389
IRF9389,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=40.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=103.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=27.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=...
FS150R12KE3
FS150R12KE3,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:13-Pin ECONoPACK,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:13; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:205 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0...