FZ3600R17HP4
FZ3600R17HP4,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:Module-9,参数:配置:Triple; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1700 V; 最大连续集电极电流:3600 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 库存实时更新,询报价及购买请致...
IRGC4059B
IRGC4059B,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIM3742-8UL
TIM3742-8UL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-11D1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:7000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
IRLR3636
IRLR3636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IKW15T120FKSA1
IKW15T120FKSA1,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Infineon,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8...
NE3508M04-T2-A
NE3508M04-T2-A,场效应晶体管,品牌:Renesas,封装:Thin-Type Super Mini-Mold-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:4 V; 最大连续漏极电流:120 mA; 最大门源电压:-3 V; 工作温度:-65 to 150 ℃;...
FGA30T65SHD
FGA30T65SHD,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PN-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:650 V; 最大连续集电极电流:60 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. ...
IRG7PH37K10D
IRG7PH37K10D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=1200V,Ic@100C=25A,Vce(ON)@25C typ=1.90V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5010
IRFH5010,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.0mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL1004S
IRL1004S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=110A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRG4BC20FPBF
IRG4BC20FPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:16 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562...
IRF6797M
IRF6797M,集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.4mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRL8113S
IRL8113S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=105A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7446
IRFH7446,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=117A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
STGW60V60F
STGW60V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:ST Micro,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 175 ℃. 询报...
TIM5359-45SL
TIM5359-45SL,场效应晶体管,品牌:Toshiba,封装:3-Pin 2-16G1B,参数:配置:Single; 最大漏源电压:15 V; 最大连续漏极电流:20000 mA; 最大门源电压:-5 V; 工作温度:-65 to 175 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-8389756...
IRFR5305
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存...
FGH40T100SMD_F155
FGH40T100SMD_F155,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1000 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±25 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to ...
IRGS4062D
IRGS4062D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=24A,Vce(ON)@25C typ=1.60V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6721S
IRF6721S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.3mOhms,Id=60A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562