BUL1102EFP,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220FP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:35@250mA@5V|12@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@400...
NE461M02-T1-AZ,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Power Mini-Mold-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.25 A; 最小DC直流电流增益:60@50mA@10V; 最大集电极基极电压:30 V; 工作温度:-65 to 150...
NJVMJD45H11RLG,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:85(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@...
BC369,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=25V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=375,Vce(sat)=0.5V,fr=65MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULQ2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...
KSC1730,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=50mA,BVcbo=30V,BVceo=15V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=800MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MUN5133DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
2SD1853,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:配置:Dual Common Collector; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@2mA@1A V; 最大集...
BCV61B E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:100@0.1mA@5V|200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电...
MMBT4403M3T5G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-723-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA...
NSVMUN5213DW1T3G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
DTA015EUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-323FL-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
KTC3876,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.25V,fr=300+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3138,贴片晶体管,三极管,SOT-23-3L封装,参数为:Pcm=350mW,Ic=50mA,BVcbo=200V,BVceo=200V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJD243T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@200mA@1V|15@1A@1V; 最大工作频率:40(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@50mA...
DZT853-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@2V|100@2A@2V|50@4A@2V|20@10A@2V; 最大工作频率:130(Typ...
EMD4DXV6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
BD136,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MAX2601ESA+T,功率晶体管,品牌:Maxim,封装:SOIC-8 EP,参数:类型:NPN; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:17 V; 最大DC直流集电极电流:1.2 A; 最小DC直流电流增益:100@250mA@3V; 最大工作频率:1000 MHz; 最大集电极基极电压:15 V; 工作温度:-...
BFQ540,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.12 A; 最小DC直流电流增益:100@40mA@8V; 最大工作频率:9000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-...
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