US6T5TR
US6T5TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:280(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.37@75mA@1.5A V...
2SA2153-TD-E
2SA2153-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|40@1.5A@2V; 最大工作频率:420(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4...
PBSS5480X,135
PBSS5480X,135,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:200@0.5A@2V|180@1A@2V|150@2A@2V|80@4A@2V; 最大工作频率:125(Min)...
BC55-10PASX
BC55-10PASX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-1061D-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最小DC直流电流增益:63@0.15A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@500mA@50mA V; 最大集电极基极电压:60 V; 工作温度:-55 to 1...
PDTA114EMB,315
PDTA114EMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
MMBT3904LT1HTSA1
MMBT3904LT1HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30...
2SD2012
2SD2012,晶体管,三极管,TO-220F封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=3000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=7V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=3+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCX71JE6433HTMA1
BCX71JE6433HTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|100@50mA@1V; 最大工作频率:250(T...
BCX38
BCX38,达林顿晶体管,由NXP原厂生产,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=80V,BVceo=60V,BVebo=10V,hfe(Min)=1000,Vce(sat)=1.25V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DCX124EK-7-F
DCX124EK-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SC-74R-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...
MJD42C
MJD42C,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=6000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BULD742CT4
BULD742CT4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:48@0.1A@5V|25@0.8A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.2A@1...
PHE13003A,412
PHE13003A,412,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:12@0.5mA@2V|10@0.4A@5V|5@0.8A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@0...
PDTA123EMB,315
PDTA123EMB,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
BC847BM,315
BC847BM,315,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA@10mA...
DSS3540M-7B
DSS3540M-7B,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|150@100mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:100(Min) MHz...
2SA1225
2SA1225,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1.5V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-...
KSP10TA
KSP10TA,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最小DC直流电流增益:60@4mA@10V; 最大工作频率:650(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.4mA@4mA V; 最大集电极基极电压:30...
DTC114TE
DTC114TE,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3837KT146P
2SC3837KT146P,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:82@10mA@10V; 最大工作频率:1500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@4mA@...