PBLS2022D,115
PBLS2022D,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:20 V; 峰值DC直流集电极电流:1.8 mA; 最小DC直流电流增益:30@10mA@5V@NPN|220@100mA@2V@PNP|220@500mA@2V@PNP|20...
CPH5905H-TL-E
CPH5905H-TL-E,NPN外延硅晶体管和N沟道硅结场效应晶体管,品牌:ON,封装:CPH-5,参数:分类:NPN Epitaxial Silicon Transistor and N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor; 引脚数目:5; 工作温度:-...
PBLS1501Y,115
PBLS1501Y,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50@NPN|15@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|500@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@20mA@5V@NPN|90@500mA@2V@...
TIP29A-S
TIP29A-S,功率晶体管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:40@0.2A@4V|15@1A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@125mA@1A V; 最大集电极基极电压...
MMST4403T146
MMST4403T146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@1V|20@500mA@2V...
PDTA115TM,315
PDTA115TM,315,数字晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价...
BC807DS,115
BC807DS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:80(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
BCV48E6327/SN
BCV48E6327/SN,三极管,达林顿管,品牌:Infineon,封装:SOT-89-4,参数:配置:Single Dual Collector; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:2000@0.01mA@1V|4000@10mA@5V|1...
BD436STU
BD436STU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-126-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:32 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@5V|85@500mA@1V|50@2A@1V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电...
BUJ100LR,412
BUJ100LR,412,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SPT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:12@0.5mA@2V|10@0.4A@5V|5@0.8A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@0.25...
2SC6026MFVGR,L3F
2SC6026MFVGR,L3F,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@2mA@6V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@10mA@100mA V; 最大集电极...
MJD45H11G
MJD45H11G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:60@2A@1V|40@4A@1V; 最大工作频率:90(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.4A@8A V;...
BCX5216TA
BCX5216TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@2V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@5...
DTB523YMT2L
DTB523YMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:VMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:12 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:140@100mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...
2SC4617TLR
2SC4617TLR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:180@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA ...
2SA1048
2SA1048,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MJH11019G
MJH11019G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:200 V; 峰值DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:100@15A@5V|400@10A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@100mA@10A|4@15...
DTC143ZUA
DTC143ZUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NE68519-T1-A
NE68519-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:Ultra Super Mini-Mold-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:75@10mA@3V; 最大集电极基极电压:9 V; 工作温度:-65 to 15...
NE68039-A
NE68039-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@6V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 最大功率耗散:20...