DTA144TETL
DTA144TETL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更...
2SB649
2SB649,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=1500mA,BVcbo=180V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTC143ZUA
DTC143ZUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=4.7K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
UML2NTR
UML2NTR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@5mA@50mA V; ...
RN1444-A(TE85L,F)
RN1444-A(TE85L,F),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:S-Mini-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:20 V; 峰值DC直流集电极电流:300 mA; 最小DC直流电流增益:200@4mA@2V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface...
2SA1084
2SA1084,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=100mA,BVcbo=90V,BVceo=90V,BVebo=5V,hfe(Min)=250,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.2V,fr=90+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5832
2N5832,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=600mA,BVcbo=160V,BVceo=140V,BVebo=5V,hfe(Min)=175,hfe(Max)=500,Vce(sat)=0.25V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX855STZ
ZTX855STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@5V|100@1A@5V|35@4A@5V; 最大工作频率:90(Typ) MHz; 最大集电极...
ULN2804AFWG,C,EL
ULN2804AFWG,C,EL,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SOP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1....
BC857B-7-F
BC857B-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
2SC5490A-TL-H
2SC5490A-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:SSFP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.03 A; 最小DC直流电流增益:90@10mA@5V; 最大工作频率:8000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-5...
BC848CPDW1T1G
BC848CPDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...
ULQ2003D1013TR
ULQ2003D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1...
BD647-S
BD647-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:750@3A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2@12mA@3A|2.5@50mA@5A V; 最大集电极...
BCW68HE6327HTSA1
BCW68HE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:80@100uA@10V|180@10mA@1V|250@100mA@1V|100@500mA...
2SB647A
2SB647A,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=140MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NSBC124EF3T5G
NSBC124EF3T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-1123-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
ZXTP2041FTA
ZXTP2041FTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|300@100mA@5V|250@500mA@5V|160@1A@5V|30@2A@5V;...
UMY1NTR
UMY1NTR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:180(Typ)@NPN|140(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发射极...
NJT4031NT1G
NJT4031NT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:220@0.5A@1V|200@1A@1V|100@3A@1V; 最大工作频率:215(Typ) MHz; 最大集电极...