QSL11TR
QSL11TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TSMT-5,参数:类型:PNP; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:270@100mA@2V; 最大工作频率:320(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.35@25mA@500mA ...
CPH3109-TL-E
CPH3109-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@500mA@2V; 最大工作频率:380(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.23@30mA@1.5A...
2SC3906KT146S
2SC3906KT146S,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:120 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:270@2mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@1mA@1...
DTC014EMT2L
DTC014EMT2L,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-723-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:35@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...
ULN2003ADR2G
ULN2003ADR2G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:SOIC-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250u...
MPS8099G
MPS8099G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V|100@10mA@5V|75@100mA@5V; 最大工作频率:150(Min) MHz; 最大集电极...
ZXTP25100CZTA
ZXTP25100CZTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|180@100mA@2V|110@500mA@2V|20@1A@2V; 最大工作频...
MJD200T4G
MJD200T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:25 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V; 最大工作频率:65(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:...
MJD3055T4
MJD3055T4,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
MMBTA06LT1HTSA1
MMBTA06LT1HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最...
MJD127T4
MJD127T4,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:1000@4A@4V|100@8A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@16m...
DDTA144VE-7-F
DDTA144VE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
DS2003TM/NOPB
DS2003TM/NOPB,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-16 N,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:55 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100m...
MMBT5551-7
MMBT5551-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电极...
KSA928A
KSA928A,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PIMH9,115
PIMH9,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致...
PBSS5240XX
PBSS5240XX,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:300@1mA@5V|215@500mA@5V|145@1A@5V|55@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.1...
ST13003
ST13003,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-32-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:5@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@0.1A@0.5A|1@0.25A@1...
2SD1060R-1E
2SD1060R-1E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:100@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@3A@0.3A V; 最大集电极基极电压:60 V;...
2STF1360
2STF1360,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:80@100mA@2V|160@1A@2V; 最大工作频率:130(Typ) MHz; 最大集...