APT13005DI-G1
APT13005DI-G1,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:TO-251-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:450 V; 最大DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:15@1A@5V|8@2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.2A@1A|0.6@0.5@2|...
2SD1805G-TL-E
2SD1805G-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最大集电极基极电压:60 V; 最大功率耗散:1000 mW. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MMBT4403WT1G
MMBT4403WT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-70-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2V...
DDTA125TUA-7-F
DDTA125TUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
TD62083AFNG(5,S,EL)
TD62083AFNG(5,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:SSOP-18,参数:配置:Octal; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@350mA|1.3...
PIMZ2,115
PIMZ2,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:100(Min)@NPN|190(Typ)@PNP MHz; 最大集电极发...
ULN2803ADWR
ULN2803ADWR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOIC-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...
RN4984,LF(CT)
RN4984,LF(CT),数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
NSBC143EDP6T5G
NSBC143EDP6T5G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-963-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:15@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
KSC1674YBU
KSC1674YBU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:600(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@1m...
2SA608S
2SA608S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=100mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=560,Vce(sat)=0.5V,fr=180+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZTX614
ZTX614,三极管,达林顿管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:5000@100mA@5V|10000@500mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.25@8mA@...
NE68139-T1-A
NE68139-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:50@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:...
2SA2210-EPN-1EX
2SA2210-EPN-1EX,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220F-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:20 A; 最小DC直流电流增益:150@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@350mA@7A V; 最大集电极基极电压:50 V...
BCM847BV,115
BCM847BV,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-666-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.2@0.5mA...
M28S
M28S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=300,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.55V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N5415S
2N5415S,功率晶体管,品牌:Microsemi,封装:TO-39-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:200 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@50mA@10V|15@1mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:2@5mA@50mA V; 最大集电极基...
NSB9435T1G
NSB9435T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:30 V; 峰值DC直流集电极电流:3000 mA; 最小DC直流电流增益:125@0.8A@1V|110@1.2A@1V|90@3A@1V; 工作温度:-55 to 150 ℃; ...
KSH50TF
KSH50TF,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:DPAK-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@10V|10@1A@10V; 最大工作频率:10(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@...
ZXTC6719MCTA
ZXTC6719MCTA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:DFN-8 EP,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:8; 最大集电极发射极电压:50@NPN|40@PNP V; 最大DC直流集电极电流:4.5@NPN|3.5@PNP A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V@NPN|300@200mA@...