BC857C-7-F
BC857C-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...
STR2550
STR2550,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:500 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|10@100mA@10V; 最大集电极发...
S8550
S8550,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.6V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP42C
TIP42C,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.3A@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1....
2SC2839
2SC2839,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=30mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC847BT-7-F
BC847BT-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0....
NSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...
BC847BT116
BC847BT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0.6@5...
HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GR(L,F,T),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:US-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@6V; 最大工作频率:150(Typ)@NPN|120(Typ)@PNP ...
TD62308AFG(O,S,EL)
TD62308AFG(O,S,EL),三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:HSOP-18,参数:配置:Quad; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.8@1.25A|1.3@0.75A V; 安装方式:Surface M...
KSA1010YTU
KSA1010YTU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:100@3A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@0.5A@5A V; 最大集电极基极电压:10...
RN2115MFV,L3F
RN2115MFV,L3F,数字晶体管,品牌:Toshiba,封装:VESM-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
BD439
BD439,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=4000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=475,Vce(sat)=0.8V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BU407
BU407,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:150 V; 最大DC直流集电极电流:7 A; 最大工作频率:16 MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1@0.5A@5A V; 最大集电极基极电压:330 V; 工作...
MMBT4403LT3G
MMBT4403LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2...
2SC1923
2SC1923,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=100mW,Ic=20mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=200,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP147FTU
TIP147FTU,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:TO-3PF-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:100 V; 峰值DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:500@10A@4V|1000@5A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2@10mA@5A|3...
2SA1987-O(Q)
2SA1987-O(Q),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-3PL-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:15 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V; 最大工作频率:30(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@0.8A@8A...
MMBT5551LT1G
MMBT5551LT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.06 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.15@1mA@...
DTC144EUA
DTC144EUA,NPN贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=47K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562