• 登录
社交账号登录

BC857,235

BC857,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:125@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@1...

NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-88-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

PDTB143XUF

PDTB143XUF,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:70@50mA@5V; 工作温度:-55 to 175 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报...

ZTX953STZ

ZTX953STZ,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|50@3A@1V|30@4A@1V; 最大工作频率:125(Typ...

DDTA144TE-7-F

DDTA144TE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mou...

DXT458P5-13

DXT458P5-13,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:PowerDI 5-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V; 最大工作频率:50(M...

SST4403T116

SST4403T116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@1V|20@500mA@2V;...

NZT605

NZT605,三极管,达林顿管,品牌:Fairchild,封装:SOT-223-4,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:110 V; 峰值DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@2A@5V|300@1.5A@5V|2000@1A@5V|5000@500mA@5V|2...

PDTA114EEAF

PDTA114EEAF,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...

ZXTP2012A

ZXTP2012A,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|65@4A@1V|10@10A@1V; 最大工作频率:120(Typ...

BCP5616H6327XTSA1

BCP5616H6327XTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|100@150mA@2V|25@500mA@2V; 最大集电极发射极饱和...

PZT4401,115

PZT4401,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.6 A; 最小DC直流电流增益:100@150mA@1V|20@0.1mA@1V|40@1mA@1V|80@10mA@1V; 最大工作频率:25...

2STC5949

2STC5949,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-264-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:17 A; 最小DC直流电流增益:80@1A@5V|35@7A@5V; 最大工作频率:25(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:3@8...

SD1728-15

SD1728-15,功率晶体管,品牌:STMicroelectronics,封装:Case-5 M-177,参数:类型:NPN; 引脚数量:5; 最大集电极发射极电压:55 V; 最大DC直流集电极电流:40 A; 最小DC直流电流增益:23@10A@6V; 最大集电极基极电压:110 V; 工作温度:-65 to 2...

2SC1359

2SC1359,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=30mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=220,Vce(sat)=0.2V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PBSM5240PF,115

PBSM5240PF,115,PNP晶体管带有N沟道沟槽MOSFET,品牌:NXP,封装:HUSON-6 EP,参数:分类:PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET; 引脚数目:6; 工作温度:-55 to 150 ℃; 所属系列:PBSM5240PF; 安装方式:Surf...

2SD1805G-TL-E

2SD1805G-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:TP-FA-3,参数:引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最大集电极基极电压:60 V; 最大功率耗散:1000 mW. 询报价及购买请致电:0755-83897562

BCX52,115

BCX52,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:63@5mA@2V|63@150mA@2V|40@500mA@2V; 最大工作频率:145(Typ) MHz; 最大集电极...

BC847B E6327

BC847B E6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@...

2SC2383

2SC2383,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=20MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562