EMF21-7
EMF21-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:12@PNP V; 峰值DC直流集电极电流:100@NPN|1000@PNP mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V@NPN|270@10mA@2V@PNP; 工作温...
BC856B,235
BC856B,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:65 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:220@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
MUN2131T1G
MUN2131T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买...
2SD1782KFRAT146
2SD1782KFRAT146,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-346-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@50mA@500mA V; 最大集电极基...
2SA1837(F,M)
2SA1837(F,M),功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:TO-220-3NIS,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:230 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:100@100mA@5V; 最大工作频率:70(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5...
MMBT3904-13-F
MMBT3904-13-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@100uA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100m...
BC547BG
BC547BG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:300(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0...
CJ303NL
CJ303NL,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=3000mA,BVcbo=50V,BVceo=35V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.15V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-838975...
JANTXV2N2222A
JANTXV2N2222A,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-18-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:50@0.1mA@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500...
PBSS4350X,146
PBSS4350X,146,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:300@0.1A@2V|300@0.5A@2V|300@1A@2V|200@2A@2V|100@3A@2V; 最大...
CPH3215-TL-H
CPH3215-TL-H,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V; 最大工作频率:500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.225@15mA@7...
RBO40-40G
RBO40-40G,反向电池和过压保护,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:分类:Reversed Battery And Overvoltage Protection; 引脚数目:3; 工作温度:-40 to 150 ℃; 所属系列:RBO40-40G; 安装方式:Surface ...
UMA9NTR
UMA9NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买...
MJD122
MJD122,达林顿晶体管,由ON原厂生产,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=8000mA,BVcbo=100V,BVceo=100V,BVebo=5V,hfe(Min)=100012000,Vce(sat)=2V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114YUA
DTA114YUA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=68,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BFR93AE6327HTSA1
BFR93AE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:12 V; 最大DC直流集电极电流:0.09 A; 最小DC直流电流增益:70@30mA@8V; 最大工作频率:6000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:20...
M8050
M8050,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ULN2002D1013TR
ULN2002D1013TR,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SO-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1...
PBSS5350X,147
PBSS5350X,147,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-4,参数:类型:PNP; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:3 A; 最小DC直流电流增益:200@0.1A@2V|200@0.5A@2V|200@1A@2V|130@2A@2V|80@3A@2V; 最大工...
PDTA124TE,115
PDTA124TE,115,数字晶体管,品牌:NXP,封装:SC-75-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...