P6SMB11AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 38.5 A; 最大反向漏电流: 5 ...
P6KE36CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30.8V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SMCJ130CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
HSP061-2N4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:UQFN-4 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8...
SMAJ6.5A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.5V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 20 uA; ...
SMLJ75CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流:...
SMCG15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 61.5 A; 最大反向漏电流: 1...
SA14A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SA7.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 38.8 A; 最大反向漏电流: 50...
1.5KE82ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 70.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.3 A; 最大...
SMAJ11E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 24.9 A; 最大反向漏电流...
SMBJ6.5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.6 A; 最大反向漏电流: 1000 u...
CD143A-SR12,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Bourns,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:30 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc ...
SA8.0AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 36.8 A; 最大反向漏电流: 25 u...
1N6137AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 152V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 1.8 A; 最大反向漏电流:...
LC11A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82 A; 最大反向漏电流: 10 u...
SMBJ11A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...
SMAJ8.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.5V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流: 10 ...
SMAJ24CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 46 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
SA51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
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