SMBJ26AE3
SMBJ26AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 14.2 A; 最大反向漏电...
SMLJ36CAE3
SMLJ36CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.6 A; 最大反向漏电流...
1N6116
1N6116, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 20.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 13.4 A; 最大反向漏电流: 1...
ECLAMP2374P.TCT
ECLAMP2374P.TCT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Bi-Dir 5V,品牌:Semtech,封装:SLP-8 EP,参数:配置: Quad; 方向类型: Bi-Directional; 最大反向漏电流: 0.5 uA; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流...
TPD4E101DPWR
TPD4E101DPWR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:X2SON-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:13(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±15@Contact Disc ...
SMB8J7.0CAHE3
SMB8J7.0CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 66.7 A; 最大反向漏电流: 400 ...
MAX3208EAUB+T
MAX3208EAUB+T,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Maxim,封装:uMAX-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Di...
P4KE18CAHE3
P4KE18CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15.3V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.9 A; 最大反向漏电流...
BZW50-33RL
BZW50-33RL, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 5KW,品牌:ST,封装:2Case R-6,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 789 A; 最大反向漏电流: 5 u...
P6KE68AHE3
P6KE68AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1...
P4KE13A-E3
P4KE13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 22 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ170E3
SMBJ170E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ30E3
SMAJ30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.3 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ130CA-E3
SMCJ130CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1 ...
SMBJ13E3
SMBJ13E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.2 A; 最大反向漏电流...
SMBG85CAHE3
SMBG85CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMCJ51CAHE3
SMCJ51CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 51V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 18.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ14A-13-F
SMBJ14A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 600W,品牌:Diodes,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 5 ...
TPD4E001DRLR
TPD4E001DRLR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@...
SMAJ7.0A-13-F
SMAJ7.0A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7V 400W,品牌:Diodes,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33.3 A; 最大反向漏电流: 20...