P6KE18AHE3
P6KE18AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; 最大反向漏电流: ...
1N6118AUS
1N6118AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电...
SMA5J6.5CA-M3
SMA5J6.5CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.5V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 44.6 A; 最大反向漏电流: 10...
CD214C-T26CALF
CD214C-T26CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 35.6 A; 最大反向...
SMAJ28CAE3
SMAJ28CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: ...
SMDA24C-7/TR7
SMDA24C-7/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 7 Bi-Dir 24V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-8,参数:配置: Array 7; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流...
P4KE220AHE3
P4KE220AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 185V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流...
1.5KE180A-B
1.5KE180A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 154V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流...
SMCG130CA-E3
SMCG130CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 130V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1...
1.5KE22CAHE3
1.5KE22CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 49 A; 最大反向漏电流: ...
RSB6.8STE61
RSB6.8STE61,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:EMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大工作电压:7.82 V; 最大漏电流:0.5 uA; 电容值:30 pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surfac...
1N6159A
1N6159A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流...
TPD3E001DRLRG4
TPD3E001DRLRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:SOT-5,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:5; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±1...
NUP1301U,115
NUP1301U,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SC-70-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Contact Disc/10@HBM/0.4@MM kV...
SMC3K78CA-M3
SMC3K78CA-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Directional 78V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 23.8 A; ...
3KASMC13AHE3_A/H
3KASMC13AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 6W,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6 W; 最大峰值脉冲电流: 140 A; 最大反向漏电流...
SMB10J9.0A-E3
SMB10J9.0A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 1KW,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 64.9 A; 最大反向漏电流: 10...
SMCJ9.0CE3
SMCJ9.0CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 88.7 A; 最大反向漏电...
1.5KE110A-B
1.5KE110A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流:...
1.5KE91CA-B
1.5KE91CA-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 77.8V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流: ...