SMDA03C-8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Array 8 Bi-Dir 3.3V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-14,参数:配置: Array 8; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: ...
SMCJ7.5CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大反向...
SMLJ58AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ7.5E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 104.9 A; 最大...
SA6.0CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 48.5 A; 最大反向漏电流: 1200 ...
SMAJ54A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
SMBJ200CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur...
1N5656ATR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 77.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-202AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 1...
DT1140-04LP-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Uni-Dir 5.5V 0.35W,品牌:Diodes,封装:UDFN-10,参数:配置: Quad; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 0.35 W; 最大峰值脉冲电流: 6 A; 最大反向漏电流: 0...
RSB12ZT2L,ESD静电抑制器,品牌:Rohm,封装:VMD-3,参数:引脚数量:3; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; 最大漏电流:0.1 uA; 电容值:1(Typ) pF; 最低工作温度:-55 ℃; 最大工作温度:150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
SR3.3.TCT,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:Semtech,封装:SOT-143-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:15 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc k...
P4SMA400AHE3_A/H, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Directional 342V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0...
P6KE350A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 300V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流: 1...
SMBJ64AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流...
SZNUP1301ML3T1G,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:70 V;...
SMA5J14A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.6 A; 最大反向漏电流: 1 u...
SMBJ48CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 48V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; ...
3KASMC24AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 3000W,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 77.1 A; 最大反向漏...
5KP130AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 23.9 A; 最大反向漏...
P4SMA150AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.4 A; 最大反向漏电流: 1 ...
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