SMBJ440CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Sur...
1.5SMC68AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流...
SMCJLCE13AE3/TR7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 70 A;...
1.5KE9V1CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.78V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流...
P4KE56AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流...
BZW04-342-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 342V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 0.75 A; 最大反向漏...
SZP6SMB62CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 53V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最...
SMLJ170CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 11 A; 最大反向漏电流: ...
SM8S30AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 6.6KW,品牌:Vishay,封装:DO-218AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 6600 W; 最大峰值脉冲电流: 136 A; 最大反向漏电流...
1N6464US, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流:...
SMCJ110A-13-F, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 110V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流:...
SMBJ64CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 64V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.3 A; 最大反向漏电流: ...
P6KE220A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 185V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 1.83 A; 最大反向漏电流: 5...
PESD3V3S2UQ,115,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:SOT-663-3,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:20 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:30@Contact D...
BZW04-58-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 4.3 A; 最大反向漏电...
BZW04-9V4HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 25.7 A; 最大反向漏...
SMCJ5664E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 146V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反...
USBLC6-2P6,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-666-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/15@Con...
SM15T39CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1...
D5V0P4B5LP08-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Quad Bi-Directional 5.5V 40W,品牌:Diodes,封装:4DFN,参数:配置: Quad; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 40 W; 最大峰值脉冲电流: 3 A; 最大反向漏电流: 0...
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