P6KE7.5CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 6.4V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 53.1 A; 最大反向漏电流: 1...
USBLC6-2SC6Y,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:STMicroelectronics,封装:SOT-23-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:17 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Co...
3KASMC36AHE3_A/I, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 3KW,品牌:Vishay,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 51.6 A; 最大...
SMBJ24CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 24V 600W,品牌:ST,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 80 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大钳...
SMCJ64A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1 ...
1N6067, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
1.5KE30A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:ST,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 187 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
SA15A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
P4SMA100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 2.2 A; 最大反向漏电流: 1...
TPD2E007YFMRG4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:PicoStar-4,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/±15@HBM kV; 最...
SMLJ54A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 3KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 34.4 A; 最大反向漏电...
1N6111, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流: 1...
5KP100A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 30.9 A; 最大反向漏...
CD214C-T28ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; ...
B72590D160H60,ESD静电抑制器,品牌:EPCOS(TDK),封装:CSMD-2,参数:类型:CeraDiode; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:290 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作...
SMAJ60CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 60V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.2 A; 最大反向漏电流:...
SMAJ17CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 17V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 14.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...
P6SMB100AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85.5V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6107, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 32 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
HSP061-2N4,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ST Micro,封装:UQFN-4 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:4; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:18(Typ) V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact D...
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